張衛教授課題組在半導體存儲技術研究上最近又獲新成果🌭，國際著名期刊《IEEE Electron Device Letters》最新一期發表了該課題組的論文Atomic-Layer-Deposited HfLaO-Based Resistive Switching Memories With Superior Performance ( IEEE Electron Device Letters, 31(11), pp.1296-1298, 2010)👷🏽。論文報道的器件具有穩定的阻變性能、低操作電壓、與先進CMOS工藝完全兼容🧙、極低功耗、超快開關速度和高密度多值存儲等等優異性能。
該項工作用原子層澱積(ALD)技術在金屬襯底上生長了納米級HfLaO薄膜，並原位摻雜了遊離態的氧離子🤾🏻♀️，增強了器件的穩定性，大大提升了阻變存儲器件的存儲性能🧏。論文結果得到了評審人員的一致贊賞👩🎤😜，稱其是阻變存儲研究領域一項出色的具有高應用價值的研究工作。
