實驗室王鵬飛教授對半浮柵晶體管進行了全面的研究🚶🏻‍♀️，強化了對SFGT的基礎原理的深入研究，掌握了不同溫度下器件速度、功耗和器件結構設計之間的關系，探索器件微縮的極限🧑🏻‍🦱。同時還研究了SFGT存儲器的180納米✬、40納米甚至22納米的三維器件結構🂠，得到了單元面積大大縮小的器件。目前，40-60nm器件得到實驗驗證🐊、20nm器件結構基本製造可行。

王鵬飛教授研究了半浮柵晶體管器件spice模型建模🪯，建立了器件的等效電路spice建模🙇‍♂️，使之成為一個基礎電路元器件可以在HSPICE／PSPICE軟件環境下仿真👨🏻‍🔧。進一步的進行了寄生參數提取👩🏿‍🔬，優化了字線和位線結構，以及信噪比，並且設計出了性能良好的芯片陣列👨🏿‍🍳。這項研究結果建立了半浮柵器件的電學仿真模型並進一步設計出芯片，是一項開創性的研究工作，成果“Investigation of Temperature Dependence, Device Scalability, and Modeling of Semifloating-Gate Transistor Memory Cell”發表在IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES上。