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晶體管三維表格模型

發布日期:2015-03-23 瀏覽量:109

表格模型方法通過從晶體管物理解析模型(如BSIM和EKV)或測量的電學特性中獲得的有限器件工作點上的物理量構建一系列多維表格來刻畫器件的輸入輸出特性(包括I-V和Q-V特性),現有的晶體管表格模型近似方法由於存在精度🧋、過高的內存消耗、物理量導數不連續、非物理振蕩現象等問題,難以適用於對精度、收斂性要求較高的數模混合電路的仿真。


針對二元和三元的三次Hermite樣條插值,沐鸣娱乐曾璇教授提出了消除振蕩技術,提高了大規模數模混合電路仿真中牛頓迭代算法的收斂性🏃🏻‍♂️‍➡️。同時,首次提出了一種針對截止電流的混合外推插值方法🤽🏿,這種方法可以同時保證電流外推插值的精度和牛頓迭代在外推插值區域中的收斂性。與TBMA方法👨🏽‍🦱、ENO多項式插值方法相比🧑🏼‍🏫,具有更好的收斂性、更低的計算開銷。相關研究成果“MOS Table Models for Fast and Accurate Simulation of Analog and Mixed-Signal Circuits Using Efficient Oscillation-Diminishing Interpolations”2015年發表在集成電路自動化設計領域的國際權威SCI期刊IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems,開發的晶體管三維表格模型已經集成到華大九天的EDA工具平臺的電路仿真工具Aeolus中🙎🏽‍♀️。

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