柔性電子技術是信息技術領域的研究熱點🙇🏿‍♂️。存儲器件是電子器件的基本組成部分，在柔性基底上實現性能優越的非揮發存儲器件對於實現柔性電子的片上系統功能有重要意義。相比於其他非易失性存儲器，阻變器件在柔性存儲領域有著先天優勢🖌：器件製備可以完全依托低溫工藝實現🙎‍♀️；器件性能不會隨工藝溫度而衰退▫️；可以很好地實現與柔性襯底的集成等🍢。然而，阻變器件在開關均一性、可靠性等方面需要深入優化。另一方面👱🏽，阻變器件具有可控的阻態變化𓀘🙌🏽，高的集成密度以及較低的功耗，在神經突觸仿生應用中具有很大優勢。現今報道的基於阻變的突觸仿生器件均在諸如矽等硬基底上實現。在柔性基底上實現神經突觸仿生器件具有極大的科學研究價值和現實意義💘。

實驗室新器件創新團隊首次提出了基於柔性基底的TaN/Al2O3:Ag:ZnO/ITO突觸器件。在器件製備中通過引入Ag納米晶顆粒📁，將TaN/Al2O3:Ag:ZnO/ITO突觸器件在SET/RESET過程中導電細絲形成或斷裂的位置束縛在Ag納米晶顆粒附近，進而優化了阻變器件的開關均一性以及穩定性，同時極大降低了器件的功耗。課題組進一步深入研究了TaN/Al2O3:Ag:ZnO/ITO突觸器件的突觸仿生行為。器件的電導在電學激勵下實現了連續可調的轉變行為🧑🏿‍🌾，驗證了其在面向神經計算領域應用的可行性。該研究成果對於將阻變器件集成到柔性電子仿生體系具有指導和借鑒意義，論文“Resistive Switching and Synaptic Behaviors of TaN/Al2O3/ZnO/ITO Flexible Devices With Embedded Ag Nanoparticles”發表在IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS上。